半導体製造装置·実装機から学ぶ高精度位置決めのテクニック：半導体露光装置の精密位置決め技術

摘要

半導体素子の微細化は，さまざまな技術の向上に支えられている。 その微細化スケジュールの指標として作成されているITRS (International Technology Roadmap for Semiconductors)のロードマップによると，2004年現在は，DRAMメモリの半ピッチ90nmのデバイスが生産されており，3年彼の2007年には65nmのデバイスが開発されるという予想が示されている。 表1にITRSロードマップに示されている，半導体リソグラフィ技術に対する短期的な要求数値を示す。 ここに示す生産年の遅くとも1年前には，デバイスを開発するための装置が必要になる。 したがって，各装置メーカーはこのロードマップに対応した製品の開発を市場から要請されているといえ．よう。 本稿では，半導体リソグラフィ工程に用いられる縮小投影露光型装置（ステツパ）の最新機である65nm対応「NSR-S308F」の精密位置決め技術と今後の技術動向を紹介する。