10Gbps高消光比MZ型シリコン光変調器

摘要

Mach-Zehnder型シリコン光変調器の設計，及び作製したデバイスでの10Gbpsでの強度変調，差動位相偏移変調動作について報告する．位相変調部の最適化を行い，高速動作の妨げとなるRC結合を低減させたシリコン光変調器を作製した．変調信号のアイパターン測定を行い，10.3-12.5Gbpsで10dB以上の消光比を得た．また，プッシュプル駆動で強度変調及び二値位相偏移変調を行い，変調信号のコヒーレント受信により周波数チャープを抑えた変調が可能であることを確認した．