АНАЛИЗ НАНОМАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ ОКСИДА ИНДИЯ И ОКСИДА ЦИНКА МЕТОДОМ АТОМНО-АБСОРБЦИОННОЙ СПЕКТРОМЕТРИИ ВЫСОКОГО РАЗРЕШЕНИЯ С ЭЛЕКТРОТЕРМИЧЕСКОЙ АТОМИЗАЦИЕЙ И ИСТОЧНИКОМ НЕПРЕРЫВНОГО СПЕКТРА

摘要

Наноматериалы на основе оксидов цинка и индия можно модифицировать путем внесения добавок (модификаторов) для получения необходимых электрических или оптических свойств: например, специфичность этих наноматериалов по отношению к токсичным газам обеспечивают посредством иммобилизации на поверхности ZnO и In_2O_3 наночаетиц Аu, Аg и др. Важную роль при этом играет контроль состава этого материала для установления зависимости《содержание модификаторов - функциональные свойства》. Данная работа посвящена разработке методического подхода к многоэлементному определению добавок (далее по тексту-модификаторы) Аg Аu и матричных элементов в наноматериа-лах на основе оксидов цинка и индия методом атомно-абсорбционной спектрометрии с электротермической атомизацией (ЭТААС) и источником непрерывного спектра. Матрицей синтезированных наноматериалов (НМ) является соответствующий оксид с возможным дефицитом кислорода из-за температурных условий синтеза (300 - 700 °С), а содержание модификаторов (Аg, Аu) изменяется от 1 до 3 % масс. Найдены наиболее подходящие условия пиролиза и атомизации для последовательного многоэлементного атомно-абсорб-ционного анализа: температура пиролиза при определении Аg, Аu (для обоих оксидов), In и Zn составляет 1000, 1600, 1200 и 900 °С соответственно; температура атомизации при определении Аg, Аu (для НМ на основе оксида индия), Аu (для НМ на основе оксида цинка), In и Zn -1800,2200,2100,2200 и 1500 °С соответственно. Достигнута точность определения аналитов 1-4%отн. Правильность результатов подтверждена методом масс-спектрометрии с индуктивно-связанной плазмой. Разработанная методика позволяет контролировать состав синтезированных наноматериалов для их более эффективного применения в производстве химических сенсоров при обнаружении таких вредных соединений, как СО, NO_2, NH_3, а также в фотовольтаике.