銅フタロシアニンを用いたSITのゲート電極ギャップに対する静特性の変化

摘要

有機静電誘導トランジスタ（organic static induction transistor：OSIT）は高速動作·大電力·低電圧駆動が可能なディスプレイ駆動素子として期待されている。本研究ではOSITの素子構造を最適化することで特性を改善することを目的としている。 本報告ではCuPcを用いたOSITにおいて、ゲート電極ギャップの大きさの変化が素子に与える影響を調べた。 その結果、ゲート電極間が1μmのSITを作製することで、今まで報告してきたCuPc－SITよりも高いon／off比を得ることが出来た。