［招待講演］有機薄膜トランジスタにおけるコンタクト修飾効果のデバイスシミュレーション解析

摘要

有機薄膜トランジスタ（OTFT）におけるコンタクトドーピングやコンタクト電極表面の化学修飾に着目した，デバイス作製評価とシミュレーション解析を実施した．トップコンタクト型ペンタセンTFTに対しては，ソース·ドレイン電極直下に限定された電荷ドープ層（コンタクトドープ層）の存在によって，トンネル障壁の厚さが低減し，キャリア注入が促進される事が示唆された．また，ソース·ドレイン金電極表面をフッ素化ベンゼンチオールで修飾したボトムコンタクト型ペンタセンTFTでは，キャリア注入障壁の低減と電極周辺部における膜構造改善の効果が共存していることを示す結果が得られた．