パワー半導体用中性子照射シリコン：世界の照射炉の現状と日本原子力研究開発機構の取組み状況

摘要

NTD-Siの原理からその利点を再確認し、NTD-Siの草創期から今日のNTD-Siの急成長を歴史を振り返りながら、大口径に係る技術的課題について報告した。300mmウェーハに対応するためには、半径方向の均一性の向念のために採られてきた回転方法による改善だけでは不十分であり、フィルター法とスルー法を混在したような新しい照射方法を実現する必要がある。 2009年までに大型NTD-Si照射実験装置をJRR-4に設置し、これを用いて試験を開始する。 また、本格的量産が可能な大型NTD-Si照射装置の実用化に向けてJRR-3の重水タンクの改造計画を策定する。 さらに成長を続けるNTD-Siのニーズを勘案し、シリコン照射専用炉の事業性についての議論を開始した。 また、次世代型半導体SiCのNTD化についての研究も着手した。