Si基板上に作製したSrS:Cu,F薄膜EL素子の発光特性

摘要

優れた青色発光薄膜EL素子を目指し、CaS:Cu,F薄膜の作製を行い、構造特性及びPL 特性のアニール条件依存性について検討した。 800°C以上の高温で両特性の改善が顕著に見られた。 またこれらの改善はともに10minほどで飽和の傾向を示した。 よってアニールは800°C以上で10分程度が適当であると考えられる。 Si基板上に、絶縁層としてSiO{sub}2及びY{sub}2O{sub}3、バッファ層としてZnSを用いてEL 素子を作製した。 この素子から青色発光が得られたが、非常に微弱であった。 そこでSrS：Cu，F薄膜EL 素子をSi基板上に作製し、発光特性を検討した。 本実験ではZnS薄膜による第一、第二バッファ層を用いた素子構造が良いという結果が得られた。 この構造で900°C，10minのアニールをした素子から約478nmにピークを持つ青色発光が得られた。 また1kHzの台形波電圧駆動で23OV{sub}(o.p)のとき319cd／m{sup}2輝度が得られ、そのときの色度は（0.180，0.289）であった。