高温信頼度試験におけるGaN-HEMTのパルスI-V特性劣化メカニズムの解析

摘要

高温保存試験におけるGaN-HEMTのパルスI-V特性変化の物理的メカニズムについて解析を行った．GaN-HEMTに高電圧ストレスを印加した直後にパルスSパラメータを測定することで，遅延時間解析を実施した結果，高温保存試験によって，GaN-HEMTのいわゆる「仮想ゲート」領域がドレイン電極側に向かって拡大していることでパルスI-V特性が変化することが分かった．この「仮想ゲート」の伸びは，ゲートのダイオード特性測定結果やゲート電極周辺のEDXによる元素分析によって，ゲート電極端部における電子のトンネル注入確率が増大することによるものと推定できる．