高速アクセスネットワーク対応アバランシェホトダイオードの開発

摘要

アクセスネットワークの高速·高感度化に対応するため、受信モジュールにアバランシェホトダイオード(APD)の搭載が進hでいる。 アクセスネットワークで使用されるAPDは高速·高感度性能に加え、バーストモードに対応できる耐高光入力特性、さらに低コストであることが重要である。これらの性能を実現するため、10Gbps以下の通信速度では量産性、低コスト化に優れた裏面入射メサ型APDを、高速特性の追及には導波路型APDの開発を進めてきた。 本報告では、吸収層の最適化により高光入力耐性を有するギガビット対応(1～10Gbps)裏面入射メサ型APDを実現し、さらに導波路型構造を適用した素子では40Gbps通信に対応可能な高速性能を実証したので報告する。