高速アクセスネットワーク対応アバランシェホトダイオードの開発

摘要

Avalanche photodiodes (APDs) are attractive devices for access networks to realize high-speed and high sensitivity receiver modules. In access networks, the robustness for high-input power operations is important, moreover, low cost is also needed. To realize these characteristics, we developed back-illuminated mesa structure APDs for l~10 Gbps operations and waveguide APDs for over 10 Gbps operations.%アクセスネットワークの高速・高感度化に対応するため、受信モジュールにアバランシェホトダイオード（APD）の搭載が進んでいる。アクセスネットワークで使用されるAPDは高速・高感度性能に加え、バーストモードに対応できる耐高光入力特性、さらに低コストであることが重要である。これらの性能を実現するため、10Gbps以下の通倍速度では量産性、低コスト化に優れた裏面入射メサ型APDを、高速特性の追及には導波路型APDの開発を進めてきた。本報告では、吸収層の最適化により高光入力耐性を有するギガビット対応（1～10Gbps）裏面入射メサ型APDを実現し、さらに導波路型構造を適用した素子では40Gbps通信に対応可能な高速性能を実証したので報告する。