かき傷をつけたフラレーンフイルムからの陰極ルミネセンス

摘要

以弧我々は手を加えていないC_（60）は1.4~1.8eVの範躇で弱い光ルミネセンスを示すのに対して、Siを挿入したC_(60)薄膜はレーザ匝誘起によって強い白色光放射を示ずことを報告した。そのスペクトルは黒体放射についてのプランタの式にほぼ完全に従い、黒体放射温度は2000監にもなる。 放射挙動は、C_（60）が不均山に酸化変質するためをに、レーザーの照射位置に依存する。 用いたレーザ押の強度はそれ自身でC餌に変質をもたらすほど強くはない。 光の放射はC_(60)/Si複合体のある種の島構造で観測され、Siの導入に伴うストレスによる欠陥が酸化変質に関係していると考えられる。 欠陥近傍C_(600の対称性が下がり禁制遷移であった光の吸収が起こったり、島からの熱の散逸が妨げられたりすることが、酸化変質の原因であると考えられる。 そこで今回は、意図的にかき傷をつけたC。 。 ／Sま複合体およびC_（60）フイルムの放射挙動を、走査電子顕微鏡モードで陰極ルミネセンス佗餌を用いて調べることにした。