Fe-Ga 薄膜における高周波磁気特性の膜厚依存性

摘要

Fe-Ga 合金は巨大磁気ひずみ、低飽和磁界、高い引っ張り応力特性といった特徴的な磁気特性を有することから、応力センサやアクチュエータといった窄磁気デバイスへの応用が期待されている．最近では、情報通信技術に関連する高速·小型·エネルギー高効率なデバイスの創製に向けて Fe-Ga 薄膜が注目を集めている．したがって，Fe-Ga 薄膜は，デバイス応用に向けた基礎物性に関する検討が広く行われている．これまでの研究では，主に磁気ひずみ，強磁性共鳴周波数，ダンピング定数の Ga 組成依存性に関して検討されてきた．一方で，これらの磁気パラメータの膜厚による変化に関しては十分な検討が行われおらず，とりわけ 20nm 以下のより薄い膜厚領域での結果はこれまで報告されていない．本研究では，幅広い膜厚のFe-Ga 薄膜における高周波磁気特性を検討し，その膜厚による変化を議論する．