Fe-Si-B-Cアモルファス薄帯の磁区構造制御によるフラックスゲートセンサの小型化

摘要

我々は、フラックスゲート磁気センサの感度を、そのコア材料の磁区構造を制御することにより改善できることを報告している。本研究では、Fe-Si-B-Cアモルファス薄帯を用いた小型センサに、応力印加による磁区構造制御を適用し、10Hm以下に小型化したセンサでも磁区構造制御が有効であるかを調べた。また、磁性材料の磁区を観察することにより、磁性材料の端部、中心付近など場所の違いによる磁化過程の違いを調べたので報告する。