フラックスゲートセンサに用いられるアモルファス磁性材料の磁区構造制御

摘要

本研究では，高磁歪を有するFe基アモルファス磁性薄帯に15MPaの張力を印加することで磁気異方性を誘導して残留歪みによる複雑な磁区構造を消失できることを磁区観察により明らかにした。また，その磁区構造制御によってセンサ感度を改善でき，従来20mm長であった磁性コア長を5mmまで小型化しても，従来の測定系で検出可能なセンサ出力が得られた。ただし，試料端部ではこの張力印加によるセンサ感度向上の効果は低下して，5mm長の素子では10mm長の素子に比べて大きなセンサ感度向上は得られなかった。