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【24h】

Crナノ粒子中のスピン蓄積と単電子トンネル効果

机译:CR纳米粒子的旋转积聚和单电子隧道效应

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摘要

強磁性電極/非強磁性微粒子/強磁性電極構造を有する多重トンネル接合素子において、非磁性微粒子内のスピン緩和時間がトンネル障壁層を伝導する電子のトンネル時間よりも充分長ければ、微粒子のサイズに起因する帯電効果と、電子のスピンが関係するスピン依存伝導に起因して、スピン依存単電子トンネル効果が観測される。我々は、非強磁性微粒子の材料を変えることで、スピン依存単電子トンネル効果の材料依存性を調べており、Au微粒子において、スピン緩和時間がバルクと比較して約1000倍の10nsecと非常に長くなることを報告した。本講演ではMgO上に成長させた非強磁性Cr微粒子の実験結果について報告する。
机译:在具有铁磁电极/非铁磁细颗粒/铁磁电极结构的多隧道结元件中,如果非磁性微粒中的旋转弛豫时间足够长于传导隧道阻挡层的电子隧道时间,则尺寸细颗粒由于引起的充电效果和涉及电子旋转的旋转依赖传导,观察到旋转依赖的单电子隧穿效果。 我们通过改变非铁磁性颗粒的材料和在Au微粒中的材料来研究自旋依赖性单电子隧穿效果的材料依赖性,旋转弛豫时间约为1000次NSEC,而据报道,它是长的。 在本讲座中,我们报告了在MgO上生长的非铁磁Cr颗粒的实验结果。

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