Инверсия типа проводимости тонких пленок n-InSe под действием лазерного излучения

摘要

Инверсия типа электропроводности тонких пленок n-InSe осуществлена мощным импульсным лазерным излучением. Р-n-структура на основе селенида индия образовывалась между облученным и необлученным участками тонкопленочного образца. Рентгеноструктурным анализом установлено, что после облучения лазерным излучением состав вещества не изменяется. Инверсия тока проводимости образца обусловлена изменением динамики поведения дефектов кристаллической решетки за счет нагрева.