Электрофизические характеристики многослойных мемристивных наноструктур на основе стабилизированного иттрием диоксида циркония и оксида тантала

摘要

Изучены электрофизические характеристики многослойной мемристивной структуры Au/Ta/ZrO_2(Y)/TaO_x/TiN. Обнаружены электронные и ионные электретные эффекты, связанные с захватом носителей заряда на ловушки и ионной миграционной поляризацией в диэлектрике. Установлено влияние ловушек на процессы электроформовки и резистивного переключения. Определены значения энергии активации и концентрации для ловушек и ионов. Обнаружено явление стабилизации резистивного переключения, которое связывается с особенностями двуслойной структуры ТаО_х и самоформирующимися нанокластерами Та. Нанокластеры выполняют роль концентраторов электрического поля в процессе электроформовки и последующего резистивного переключения.