ОСЦИЛЛЯЦИИ ПОГЛОЩЕНИЯ ЗОНДИРУЮЩЕГО ПИКОСЕКУНДНОГО ИМПУЛЬСА СВЕТА, ВЫЗВАННЫЕ ЕГО ВЗАИМОДЕЙСТВИЕМ С СОБСТВЕННЫМ ПИКОСЕКУНДНЫM СТИМУЛИРОВАННЫМ ИЗЛУЧЕНИЕМ В GaAs

摘要

Ранее [1] в тонком слое (толщиной около 1 мкм) GaAs, подвергнутом мощной пикосекундной накачке, была обнаружена автомодуляция спектра поглощения пикосекундного импульса света. Из анализа ее характеристик [5] вытекало, что зависимости поглощения зондирующего импульса от энергии импуль- са накачки и от пикосекундной задержки между накачивающим и зондирующим импульсами должны быть автомодулированы осцилляциями. Такая автомодуляция экспериментально обнаружена в насто- ящей работе. При определенных условиях осцилляции поглощения оказались функцией доли энергии собственного пикосекундного стимулированного излучения GaAs, расположенной над определенным по- рогом в области перекрытия фронта излучения с фронтом зондирующего импульса. Обнаруживается сходство осцилляции поглощения с выявленной ранее [4] автомодуляцией характеристик собственно- го излучения. Это позволяет предполагать, что в основе автомодуляции поглощения и излучения лежит один и тот же тип взаимодействия световых импульсов в активной среде, физический механизм которого еще предстоит выявить.