ИЗУЧЕНИЕ МИКРОДЕФЕКТОВ В МОНОКРИСТАЛЛАХ GaAs(Si), ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ ВЕРТИКАЛЬНОЙ НАПРАВЛЕННОЙ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ

摘要

Методом диффузного рассеяния рентгеновских лучей изучены микродефекты в легированных кремнием монокристаллах GaAs, выращенных методом вертикальной направленной кристаллизации. При легировании до концентрации основных носителей заряда n 1 × 1018 см–3 наблюдали крупные микродефекты с положительной дилатацией, сопровождающие начальные стадии выпадения мышьяка при высоких температурах. Показано, что образцы GaAs, сильно легированные кремнием (n 3 × 1018 см–3), содержат крупные (несколько микрометров) межузельные микродефекты, которые, вероятно, могут играть роль областей зародышеобразования новых фаз типа SiAs и SiAs2.