ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ РОСТ ПЛЕНОК InGaAs В НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОМ РЕЖИМЕ НА ПОДЛОЖКАХ InP С ОРИЕНТАЦИЯМИ (100) И (411)А

摘要

Проведены комплексные исследования структурных и электрофизических характеристик эпитаксиальных пленок In_(0.53)Ga_(0.47)As, выращенных в низкотемпературном режиме на подложках InP с кристаллографическими ориентациями (100) и (411 )А при различном соотношении потоков молекул As_4 и атомов (In, Ga) γ= 29 и 90. Показано, что при использовании подложек InP(411)A повышается вероятность образования двумерных дефектов (дефектов двойникования и упаковки, дислокаций, границ зерен), уменьшающих подвижность свободных электронов, и точечных дефектов As_(Ga), играющих роль доноров и увеличивающих концентрацию свободных электронов. При повышении γ от 29 до 90 монокристаллические пленки InGaAs на подложках ( 100) и (411 A превращаются в поликристаллические.