Кинетика спада быстрой флуоресценции в органических полупроводниках, обусловленного распадом возбужденною синглетного состояния S_1 на пару триплетных (Т) экситонов, существенно зависит от процесса обратной TT-аннигиляции. В работе показано, что корректная интерпретация этого эффекта требует учета стохастической миграции Т-экситонов. Предложена модель двух состояний (МДС), позволяющая описать проявление миграции в кинетике TT-аннигиляции и, таким образом, в кинетике распада S_1-состояния. В МДС эффект миграции трактуется как результат переходов между ТТ-состоянием взаимодействующих экситонов (на малых Т—T-расстояниях) и TТ+ T-состоянием свободно диффундирующих экситонов (на больших Т—Т-расстояниях). В рамках МДС получено аналитическое выражение для кинетики спада флуоресценции ( КСФ) из S_1,-co-стояния, i_(S1)(t)- Это выражение применено для описания КСФ, измеренной в аморфных пленках рубрена в отсутствие магнитного поля (B = 0) и в поле β=8.l кГс. Подгонка параметров модели позволила с хорошей точностью воспроизвести экспериментальную КСФ. Анализ полученной теоретической КСФ выявил существенный эффект T-миграции в I_(S1)(T), выражающийся, в частности, вхарактерной зависимости I_(s1) (T) ~ t~(-3/2) набольших временах.
展开▼
