首页> 外文期刊>Физика и техника полупроводников >Влияние концентрации олова на состав, оптические и электрические свойства пленок ITO, осажденных методом ультразвукового спрей-пиролиза на кремний и стекло
【24h】

Влияние концентрации олова на состав, оптические и электрические свойства пленок ITO, осажденных методом ультразвукового спрей-пиролиза на кремний и стекло

机译:锡浓度对组合物中的效果,ITO膜的光学和电学性质沉积通过超声喷雾热解在硅上和玻璃

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

С целью оптимизации свойств легированного оловом оксида индия (ITO) применительно к кремниевым солнечным элементам осаждали пленки толщиной ~ 100 нм методом ультразвукового спрей-пиролиза при температуре 380°С в аргоне на подложки (nn~+)-Cz-Si и стекла, варьируя относительное содержание Sn и In в пленкообразующем растворе в диапазоне Sn/In = 0—12 ат%. Оптимальные параметры показали пленки, полученные при Sn/In = 2—Зат% в растворе (в пленке Sn/(In + Sn) = 5.2—5.3ат%): эффективное поглощение пленок на стекле, взвешенное по солнечному спектру в диапазоне длин волн 300—1100 нм, составило 1.6—2.1%, слоевое сопротивление пленок на кремнии R_s = 45—55Oм/□, пленок на стекле Rs = 165—175 Ом/□ Через 8 месяцев хранения на воздухе Rs оптимальных пленок не изменилось, Rs остальных пленок выросло: для пленок на кремнии до 2 раз, на стекле до 14 раз.
机译:为了优化掺杂氧化铟铟(ITO)的性质,通过在氩气的温度为380℃的温度下的超声波喷雾 - 热解的方法沉淀薄膜的厚度〜100nm(NN〜+ ) - CZ-Si和玻璃,相对于Sn的含量和在Sn / In = 0-12的成膜溶液中的含量变化。最佳参数显示在溶液中在Sn / In = 2-set%中获得的薄膜(在Sn /(In + Sn)= 5.2-5.3bit%):有效地吸收玻璃上的薄膜,在太阳光谱上加权波长范围300 -1100nm,含硅膜上的薄膜层电阻为1.6-2.1%,薄膜电阻= 45-550M /□,玻璃上的薄膜Rs = 165-175欧姆/□在空气RS储存8个月后的空气RS最佳薄膜后没有改变,卢比剩下的电影已经成长:对于硅上的电影最多2次,玻璃上可达14倍。

著录项

  • 来源
  • 作者单位

    НИИ ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова 119991 Москва Россия;

    НИИ ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова 119991 Москва Россия;

    НИИ ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова 119991 Москва Россия;

    НИИ ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова 119991 Москва Россия;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 rus
  • 中图分类 半导体物理学;
  • 关键词

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号