Применение собственного оксида арсенида галлия для создания изоляции активных элементов интегральных схем на GaAs

摘要

Использование собственного оксида арсенида галлия, полученного плазменным анодированием с применением ультрафиолетового (УФ) облучения в процессе его формирования, для создания изоляции активных элементов интегральных схем на GaAs является оригинальным методом, ранее не применявшимся. Метод позволяет значительно понизить токи утечки и эффект управления по подложке, повысить термостабильность и напряженность поля пробоя, сохраняя при этом планарность поверхности структур.