Технология формирования субмикронногоповерхностного рельефадля эпитаксиальных структур GaAsс тонкими стоп-слоями AlGaAs

摘要

Разработана базовая технология формирования субмикронного поверхностного рельефа в эпитаксиальных структурах GaAs, основанная на электронно-лучевой литографии. Высокая чувствительность характеристик вертикально-излучающего лазера к уровню оптических потерь позволяет использовать данную технологию для контроля морового состава и стабилизации поляризации излучения.