ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПЕНОСТЕКЛОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА

摘要

Проведенное исследование пенокристаллического материала, полученного из кремнезёмистого сырья двухстадийным методом при температурах менее 950 оС, показало улучшение физико-механическими свойств по сравнению с пеностеклом, полученным из стеклобоя. Этот материал активно взаимодействует с электромагнитным излучением и может быть использован для создания: защитных экранов, снижающих вредное влияние ЭМИ на биологические объекты; безэховых камер и помещений с низким уровнем электромагнитного фона. Приведены спектры коэффициентов прохождения и поглощения и комплексной диэлектрической проницаемости в диапазоне частот 26-260 ГГц. Наблюдаемые эффекты объясняются существованием областей частичного и полного отражения, которые возникают на границе раздела ?стекло - пора? и взаимодействием ЭМИ с ультрадисперсными частицами углерода, которые остаются после вспенивания при неполном переходе пенообразователя из сажи в газовую фазу.