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机译:基于体FinFET的NAND型SONOS闪存阵列中沟道掺杂浓度和鳍尺寸变化对沟道电位自升的影响
3-D device simulation; FinFET; NAND flash memory; Program inhibition; Self-boosting;
机译:基于体FinFET的NAND型SONOS闪存阵列中沟道掺杂浓度和鳍尺寸变化对沟道电位自升的影响
机译:自增强沟道电势对器件规模和2D和3D NAND型闪存器件中掺杂浓度的依赖性研究
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机译:基于体FinFET的NAND型SONOS闪存阵列中通道掺杂浓度和鳍宽度对自升压的影响
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机译:基于TCAD仿真的硅纳米线SONOS闪存的短沟道效应抗扰度