首页> 外文期刊>Квантовая электроника: Ежемес. журн. >формирование микромодификаций в кристалле KDP при острой фокусировке фемтосекундного лазерного излучения видимого диапазона
【24h】

формирование микромодификаций в кристалле KDP при острой фокусировке фемтосекундного лазерного излучения видимого диапазона

机译:具有急性聚焦的KDP晶体中的微量微量聚焦的可见光辐射的微量聚焦

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
获取外文期刊封面目录资料

摘要

Исследован процесс формирования микромодификаций в объеме кристалла KDP при острой фокусировке импульсов фемтосекундного лазерного излучения (λ≈ 600 нм, длительность импульсов 100 и 200 фс, энергия 0.02 - 10 мкДж). Предложена теоретическая модель, описывающая начальный этап возникновения плазменного канала с учетом полевой ионизации и нагрева электронной компоненты плазмы. Оценены интенсивность лазерного импульса (~10{sup}13 Вт/см{sup}2), концентрация электронов (~10{sup}20 см{sup}(-3) ) и средняя температура электронов (5 эВ) в плазменном канале.
机译:研究了在飞秒激光辐射脉冲的急性聚焦期间在急性聚焦期间进行了在KDP晶体体积中形成微浆化的方法(λ≈600nm,脉冲持续时间100和200 fs,能量0.02-10μ5)。 提出了一种理论模型,其描述了等离子体通道的初始阶段,考虑到等离子体的电子元件的场电离和加热。 估计激光脉冲的强度(〜10 {sup} 13w / cm {sup} 2),电子浓度(〜10×sup} 20cm {sup}( - 3))和平均温度等离子体通道中的电子(5eV)。

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号