Широкополосные суперлюминесцентные диоды и полупроводниковые оптические усилители спектрального диапазона 750-800 нм

摘要

Исследованы суперлюминесцентные диоды (СЛД) и полупроводниковые оптические усилители (ПОУ) на основе однослойной квантоворазмерной структуры в системе (Al_xGa_(1-x))As/GaAs с концентрацией Al х ～ 0.1 в активном слое толщиной 10 нм. В зависимости от длины активного канала СЛД непрерывная выходная мощность излучения через одномодовый волоконный световод составляла 1-30 мВт при ширине спектра около 50 нм. Полоса оптического усиления в активном канале превышала 40 нм. Предварительные ресурсные испытания продемонстрировали достаточно высокую надежность этих приборов.