СТРУКТУРА И СПЕКТРЫ ОТРАЖЕНИЯ ПЛЕНОК In_(3-x)S_4(111)/mono-Si и In_(3-x)S_4(111)/SiO_2/mono-Si

摘要

Методом пиролиза аэрозоля получены однофазные текстурированные пленки In_(3-x)S_4(111)/Si(100), In_(3-x)S_4(111 )/Si(111) и In_(3-x)S_4(111 )/SiO_2/Si( 100). Показано, что текстура не зависит от ориентации кремниевой подложки и температуры осаждения (450-500°С). По спектрам отражения определена ширина запрещенной зоны осажденного In_(3-x)S_4, составляющая 1.55 эВ для непрямого разрешенного перехода. Энергия прямых v-c-переходов оценивается величиной 1.61 эВ. Отмечено, что наблюдение интерференции в спектрах зеркального отражения позволяет судить о моменте формирования сплошной пленки и кинетике ее роста.