ФОРМИРОВАНИЕ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК ZnO ИОННО-ПЛАЗМЕННЫМ МЕТОДОМ ДЛЯ МДП-ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРИБОРОВ УФ-ДИАПАЗОНА

摘要

Приведены результаты исследования тонких поликристаллических пленок оксида цинка, полученных методом ионно-плазменного распыления металлической мишени в среде сильного газового окислителя. Показано, что их оптические свойства близки к оптическим свойствам монокристаллического оксида цинка и могут быть успешно использованы в качестве приемной площадки фотоприемников ультрафиолетового оптического диапазона. Ширина запрещенной зоны пленки составляет 3,22 эВ, что незначительно отличается от ширины запрещенной зоны монокристалла оксида цинка 3,3 эВ.