SiCパワーデバイス·モジュールの実装課題

摘要

パワーデバイスもSiウエハを用いたデバイスが長い間用いられてきている。ところが最近SiCが特にインバータ用ダイオード，トランジスタ用材料として登場してきた。SiC自体はSi（シリコン）とC（カーボン）が1:1で結合したIV－ IV族化合物半導体で古くから知られている。結合力が極めて強く，熱的，化学的，機械的に安定している。常圧で液層は存在せず，2,000°Cで昇華する。モース硬度＝ 9.3はダイヤモンド＝ 1 0 に近い。ほとhどの酸，アルカリに不活性である。結晶多系で代表的なものは4H-SiC，6H-SiC，3C-SiCなどである。