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大面積CuInSe_2系薄膜太陽電池

机译:大面积CuInSe_2系薄膜太阳电池

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摘要

CuInSe_2 (CIS)系薄膜太陽電池は,光吸収係数が半導体の中で最大のCIS系カルコパイライト薄膜をp型光吸収層とし,n型透明導電膜とpnヘテロ接合を形成したデバイス構造である.CIS系薄膜太陽電池は現在,ラボベースの研究開発成果(すなわち,大面積·集積型デバイスの製造要素技術)をパイロット製造で検証する段階に来ている.本稿では,CIS系薄膜太陽電池の技術開発をリードし,2007年から年産20MWと15MW規模での製造に移行する2社(それぞれ昭和シェル石油とWurth Solar社)の製造技術を中心に,CIS系薄膜太陽電池の現状と課題を報告する.
机译:CuinSe_2(CIS)薄膜太阳能电池是一种器件结构,其中具有最大光吸收系数的基于CIS的甲铜矿薄膜是p型光吸收层,并形成PN异质结。 基于CIS的薄膜太阳能电池目前核实基于实验室的研发成果(即大面积和集成器件制造元件技术)在试验制造中。 在本文中,我们将领导基于CIS的薄膜太阳能电池技术开发,从2007年到2007年的制造技术,每年生产和15兆瓦规模(Showa Shell Ins Sill Solar Co.,Ltd.) ,CIS系统报告了薄膜太阳能电池的当前状态和问题。

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