窒化物ワイドギャップ半導体の現状と展望一バルクGaN単結晶成長技術開発の観点から

摘要

III(13族)ーV(15族)族化合物半導体の仲間であるGaAsやInPでは,同種基板を用いて薄膜成長が可能であるのに,III族窒化物半導体はそれができないという八ンディキャップを背負いながら,サファイアやシリコンなど異種基板上に薄膜成長させて,その能力を少しずつ発揮してきた.今後,省?創エネルギー要求がますます高まる中,潜在能力を最大限発揮するためにIII族窒化物半導体バルク基板にかかる期待は大きい.本報告では,基板用バルクGaN単結晶成長の現状,およびそれを用いた場合の青色LED,HFETおよび太陽光発電素子について紹介する.