ガスクラスターイオンビームプロセス

摘要

イオンビームほ，1886年ゴールドシュタインによってカナール線として報告され，J．Jトムソンによって確認された1）。 その後トランジスターの発展に伴い，1970年代より半導体デバイス製造技術としてイオンビームが利用されるようになり，微細加工の分野で急速に進歩した。 その主な分野には，固体中に異種の原子を埋蔵させるイオン注入，固体表面を削り取るスパッタリング加工，固体表面上に非常に薄い膜をつくる薄膜形成技術などである。 いずれのプロセスにおいても，利用されるイオンは単原子ヤ分子をイオン化したものであり，それらの原子集臥即ちクラスターイオンを利用する考えはほとhど無かった。