首页> 外文期刊>放射线 >半導体シングルイベント効果研究の現状
【24h】

半導体シングルイベント効果研究の現状

机译:半导体单事件效果研究的当前状态

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
获取外文期刊封面目录资料

摘要

半導体集積回路の微細化(0.1μの壁を越えて)、高集積化(1千万素子以上)が進み、メモリの大容量化、マイクロプロセッサーやユビキタスコンピュータ、ICタグなどの機能的な面での展開、マイクロプロセッサーのGHヱ化など高速化が進められている。 さらに次世代の素子を目指して、SOI基板を用いた素子や高誘電率ゲート絶縁膜材料の研究、配線用低誘電率材料、さらなる高速化のための低抵抗率配線材料の研究、また低消費電力のための回路的な検討が行われており、最終的に市場で使われるかどうかは信輪性の問題になるが、集積回路の回路構成、素子構造、材料の面からさまざまな研究が行われている。
机译:半导体集成电路小型化(超出墙为0.1μ),高集成(超过1000万个元素)进行,具有大容量的存储器,微处理器,无处不在的计算机,IC标签等。微处理器的部署,促进了高速。 此外,使用SOI基板的高介电常数栅极绝缘膜材料,用于布线的高介电常数材料,低温布线材料,用于布线的低温布线材料以及用于电力的低消耗电路,最终将是在市场上使用,但这将是一个值得信赖的问题,但是从集成电路的电路配置,元件结构和材料材料的各种研究。它是完成的。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号