近赤外半導体レーザーの高出力化技術と現状

摘要

過去20年間における半導体レーザーの高出力化は，顕著な成果を見せており，エミッター幅が100μmの半導体レーザーを例にすると，10W以上の実用出力が達成されている~(1-4）このような高出力化によって，半導体レーザーの応用分野は，光通信や光情報処理から高効率な光エネルギー源へと広がりを見せている。現在，レーザー加工などで多用される固体レーザーやファイバレーザーにおいて，その励起源となる半導体レーザーが必要不可欠である。更に，半導体レーザー光を集束することによって，固体レーザーが担っている応用分野にまで直接半導体レーザーを利用する動きが始まっている。本稿では，近赤外髙出力半導体レーザーの基本となるブロードエリア型半導体レーザー（Broad area Laser diodes，以下単にLDと略す。）を例にして，その高出力化技術の現状について報告する。また，LDのアレイ化による高出力化技術として新規なLD-barについても概観し，最後に当社が開発した高出力LDについて紹介する。