首页> 外文期刊>Физика твердого тела: ФТТ >Изучение микроструктуры кристаллов Si, подвергнутых облучению быстрыми Н~+-ионами и термообработке, методами высокоразрешающей трехкристальной рентгеновской дифрактометрии и электронной просвечивающей микроскопии
【24h】

Изучение микроструктуры кристаллов Si, подвергнутых облучению быстрыми Н~+-ионами и термообработке, методами высокоразрешающей трехкристальной рентгеновской дифрактометрии и электронной просвечивающей микроскопии

机译:对快速h〜+图像和热处理的Si晶体微观结构的研究,高度固体三晶X射线衍射法和电子半透明显微镜的方法

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
获取外文期刊封面目录资料

摘要

Были изучены структурные особенности образования радиационных дефектов в имплантированных протонами слоях кремниевых пластин в процессе их термической обработки. Из анализа результатов исследований методами высокоразрешающей трехкристальной рентгеновской дифрактометрии и просвечивающей электронной микроскопии, получены новые данные о природе, характеристиках и концентрации микродефектов в кристаллах Si, облученных протонами с энергиями 100 +200 + З00кеУ, с общей дозой 2 ?10~(16) сm~(-2), и эволюции дефектной структуры при термообработке в широком диапазоне температур от 200до1100°С.
机译:研究了通过硅板质子在热处理期间植入的质子中辐射缺陷的结构特征。通过分析高固体三晶X射线衍射法和半透明电子显微镜的方法研究结果,用电子100 + 200 + Z00keu辐照的Si晶体的性质,特征和微碎片浓度的新数据,具有总剂量为2-20〜(16)厘米〜(-2),以及在200d1100℃的各种温度下热处理过程中缺陷结构的演变。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号