次世代ゲート絶縁膜の製法に見通し酸素雰囲気加熱処理で電荷移動度高く

摘要

次世代半導体の製造技術確立を目指し、経済産業省と新エネルギー·産業技術総合開発機構（NEDO）が支援する産学官連携の半導体MIRAIプロジェクト（廣瀬全孝プロジェクトリーダー）は、課題だった高誘電率（high-k）ゲート絶縁膜の製造に基本的見通しを得た。 このほど、東京で開いた成果発表会で、鳥海明high-k材料ゲートスタック技術グループリーダー（東京大学教授）が明らかにした。 最終的に1000°C近い高温での酸素雰囲気加熱処理をすることで、電荷の漏れ（リーク）を防ぎつつ高い電荷移動度を得ることに成功したという。