産総研·エレクトロニクス研究部門世界初、超薄型のダブルゲートMOSFETチャネル厚さ8.5nm、しきい値電圧自在省エネ性と高速性の同時実現に大きく前進

摘要

産業技術総合研究所（つくばセンター）エレクトロニクス研究部門の和田敏美部門長、鈴木英一副部門長らは、電子が流れる半導体層（チャネル）の厚さを8.5nmと超薄型にした4端子型ダブルゲートMOSFET（Fig 1、金属酸化膜半導体を使った電界効果トランジスタ）の開発に世界で初めて成功した（MOSFETは「今号のキーワード」を参照）。 ダブルゲートMOSFETは2つのゲート電極でチャネルをはさhだ新しいトランジスタ構造で、最も薄かったチャネル厚さ13nmをさらに薄くし、しきい値電圧を自在に変えることによって、動作時と待機時の消費電力をより明確に制御できることを実証した。 高速性を保ちながら、超低消費電力をダイナミックに制御する革新的VLSI実現に弾みをつける成果だ。