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【24h】

高熱伝導AlNセラミックスの微構造と熱伝導メカニズム

机译:高导热率ALN陶瓷的微观结构和导热机理

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摘要

高熱伝導セラミックスは,発生する熱を速やかに伝達,拡散し,緩和,冷却する等の熱媒体としての役割を果たすことから,高集積電子回路用の基板材料,レーザー発振部等の放熱部材(ヒートシンク),半導体製造装置の反応容器部材,精密機械部材,治具部材等の分野への応用が着実に進hでいる.高熱伝導セラミックスとして確固たる地位を築いたのがAlNおよびSiCである.これらのセラミックスは,1981年では熱伝導率は100Wm{sup}(-1)K{sup}(-1)以下であったものが,1980年代後半には単結晶並みの熱伝導率(270Wm{sup}(-1)K{sup}(-1)を示すものが研究室レベルで開発された.特に,AlNセラミックスの熱伝導率は理論値(320Wm{sup}(-1)K{sup}(-1)の84%に達し,その応用のみならず基礎科学の観点からも高い興味を持たれた.本解説では,高熱伝導AlNセラミックスの微構造や特性についての最近の知見を報告するとともに熱伝導メカニズムについて述べたい.
机译:由于高导热陶瓷在诸如传输,扩散,松弛和冷却的热介质中起作用的作用,因此高集成电子器件的传热构件,诸如激光振荡单元的散热构件(散热器的散热器对于半导体制造装置,精密机械构件和夹具构件等稳定地。它是AlN和SiC,其已经建立了作为高导热率陶瓷的固体位置。 1981年,这些陶瓷为100Wm {sup}(-1)k {sup}(-1),但在1980年代后期的sup}(-1)中的单晶(270wm)的导热率在实验室水平上证明指示k {sup}(-1)。特别地,Aln陶瓷的导热率是理论值(320wm {sup}(-1)k {sup}它达到(-1)的84%,并且非常感兴趣不仅适用于其应用,而且从基础科学的角度来看。除了报告最近关于高导热率ALN陶瓷的微观结构和特性的发现,我想描述导热机制。

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