MEMS空間光変調技術を使用したレーザー描画装置

摘要

半導体用のフォトマスクは通常152mm角で，6.35mm厚の合成石英ガラスでできている．ほとhどのマスクブランクスには100nm以下のクロム(Cr)吸収層がのつている．クロム膜にフォトレジストが塗布され，マスク描画装置での露光，現像とエッチング工程を経て，いわゆるバイナリーマスクが製造される．最先端のマスクは非常に厳しいパターンの精度が要求される．数千万から数億個のパターン形状が厳密に寸法と位置精度に関して制御されなければならない．Sigma7500では形状の均一性は5.5nm以内に達成している．この均一性は，線幅サンプルの標準偏差の3倍(3σ)で表現される．同じ領域で形状の位置精度は12mm (3σ)で，それは1千万あるうちの一つ分未満のわずかなエラーに相当する．本装置はクリティカルな形状で220nm，そうではない形状では150nmまでの寸法を描く（図2）．加えて，エッジ部は1.25nmの精度で位置制御し（これをアドレスユニットと呼ぶ），そして約3時間の描画時間は電子ビーム描画機よりも優れている．それと同時に精度要求を満たすためには特別設計されたSLMが必要となる．