Стурктурообразование карбидокремниевой матрицы при создании композиции алмаз-карбид кремния

摘要

Исследована тонкая структура порошков алмаза (ACM 14/10) с покрытием и структура кар-бидокремниевой матрицы композиции алмаз-карбид кремния, полученной реакционным спеканием в засыпках исходных порошков алмаза и карбида кремния (марки FCP), активированного взрывом, с предварительным нанесением на них тонкопленочных покрытий кремния и графита (100 нм). Химическая реакция в покрытии с образованием карбида кремния протекает в диапазоне температур 650 - 750 deg C. Формируемая после реакционного спекания оболочка карбида кремния сдерживает процесс графитизации алмаза при нагреве. Сформированная реакционным спеканием карбидокремниевая матрица имеет высокие значения вязкости разрушении (K_(1C) =10 - 12 н/м~(3/2)). Полученные результаты позволяют считать предлагаемую технологию перепективной для создания сверхтвердых материалов на основе алмаза и карбида кремния.