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【24h】

32nm世代の半導体ウェーハ検査·計測技術

机译:32nm代半导体晶片检测和测量技术

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摘要

32nm世代の半導体デバイスの量産がまもなく始まろうとしているが,歩留りを改善するためのウェーハのインライン検査·計測の重要性が前世代以上に増すとともに,これらに対する技術課題も明らかになってきた。また,歩留りを改善するためには,従来のランダム欠陥だけの管理では限界があり,システマチック欠陥の検出と管理が重要になってきている。東芝は,これらシステマチック欠陥の検出技術を体系的に構築し,半導体の開発から量産にかけての歩留り改善技術の向上を目指している。
机译:32nm代半导体器件的批量生产是真正启动的,但晶片的内线检查和测量的重要性是提高产量的大于前一代,而且这些问题变得显而易见。 此外,为了提高产量,仅在常规随机缺陷的管理中存在限制,并且系统缺陷的检测和管理变得重要。 东芝系统地建立了这些系统缺陷的检测技术,并旨在提高从半导体开发到批量生产的收益率改进技术。

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