深紫外線反射光学系による高感度マスク検査技術

摘要

半導体の微細化に伴い，回路バターンの原版であるマスクの欠陥検査の重要性が高まっている。微小欠陥の検出には高輝度な光源の短波長化による高解像度化が有効であるが，ランプ光源で高輝度を得るのは難しい。 一方，レーザ光源は高輝度であるが干渉性が高いため，干渉による照明むらが発生する問題があった。 そこで，この照明むらを低減する照明光学系を開発するとともに，照明光学系を透過光学系から反射光学系にすることで信号コントラストを向上できることを，光学シミュレーションで明らかにした。 更に両技術を組み合わせることで，90nm世代以降のデバイス製作に使用される，ArF（フツ化アルゴン）露光用位相シフトマスクの微小ピンホール欠陥の信号検出に成功した。