SiCパワーデパイス

摘要

次世代パワーデバイス用の材料としては，炭化ケイ素（SiC）のほかにも，表1に示すダイヤモンドや窒化ガリウム（GaN）などのワイドバンドギャップ半導体材料が候補として挙げられている。これらの材料は絶縁破壊電界強度（E_c）がSiより1けた程度大きく，耐圧を保持するためのドリフト層を1／10程度まで薄くできるため，パワーデバイスの低損失化を実現できる。 そのほかにも，高温動作（SiCでは650°C動作の報告がある），高い熱伝導度（SiCは銅（Cu）並み），大きな飽和富子ドリフト速度などの優れた物性値を持っている。