次世代パワーデバイスの研究開発動向SiCパワーデバイスの現状、そして未来

摘要

炭化ケイ素（SiC)の研究開発の歴史は古い。1892年の AchesonによるSiC結晶成長法の提案に始まり、Lely による高純度SiC単結晶成長法の確立（1955年）、松波 らによるステップ制御ェピタキシー技術の確立（1987 年）、単結晶ウェハ（1ィンチ）の市販開始（1991年）など のキーテクノロジーの確立を経て、Schottky Barrier Diode (SBD) 、 Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET)などが複数のベンダーから市販 されるに至っている。ただし、SiCパワーデバイスはい くつかの応用分野で着実に社会実装が進んでいる一方 で、その市場の広がりは当初期待されていたほど爆発的 ではないことは否定できない。