低消費電力のキャッシュメモリを可能にした垂直STT-MRAM

摘要

キャッシュメモリの大容量化に伴い，データを保持するために使用されるエネルギーは増加の一途をたどり，無視できない問題となってきている。これを解決するため，データ保持エネルギーを必要としない不揮発性メモリであるMRAM（Magnetoresistive RAM）が検討されている。しかし従来のMRAMには，データ保持エネルギーは削減できるものの，書込み電流が大きいために消費電力がかえって増大してしまうという課題があった。今回東芝は，低電流で書込みが可能な垂直記憶素子を用いたスピン注入型（STT：Spin-Transfer Torque）-MRAMをキャッシュメモリに適用することでSRAM（Static RAM）と同等の動作速度を保持しながら，消費電力を80％低減できることを示した。