GaN系サブバンド間遷移を応用したサブピコ秒光スイッチ

摘要

GaN系ISBT光スイッチでオン/オフ比13，ゲート半値幅0.24psの超高速動作を実現し，1.5Tビット/sでもパターン依存性のないスイッチング動作が可能であることを示した。このような超高速光スイッチへのこレズが本格化するまでに，低スイッチングエネルギー化低損失化, 高機能化を進めていきたい。 なお，この研究は，独立行政法人新エネルギー·産業技術総合開発機構（NEDO技術開発機構）から研究を委託されたフェムト砂テクノロジー研究校構（FESTA）の研究の一環として行われたものである。