На образцах многослойной пленочной структуры Си/[FeNi/Си]_(10), полученных методом ионно-плаз-менного распыления, проведен сравнительный анализ петель магнитного гистерезиса, измеренных на вибрационном магнитометре, магнитоизмерителъном комплексе с первичным преобразователем на основе СКВИДа (СКВИД-магнитометр) и магнитооптическом Керр-микроскопе. Использование СКВИД-магнитометра позволило обнаружить ступенчатый характер перемагничивания пленочной структуры, наличие которого было подтверждено наблюдениями на Керр-микроскопе в квазистатическом режиме перемагничивания.
展开▼
