Проанализировано современное состояние технологии полупроводникового кремния. Рассмотрена общая стратегия развития в связи с перспективами перехода микроэлектроники на создание сверхбольших интегральных схем субмикронного и наномикронного уровней. Обсуждаются основные тенденции в развитии технологии выращивания бездислокационных монокристаллов больших диаметров. Особое внимание уделено проблеме получения монокристаллов с контролируемыми природой, плотностью и размерами микродефектов. Обсуждаются особенности технологии изготовления пластин больших диаметров, обусловленные резким ужесточением требований к качествам их поверхности, а также проблемы гетте-рирования загрязняющих примесей из активных областей приборных композиций.
展开▼
